Американская компания отказалась поставлять «Роснано» оборудование для производства чипов
Американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять оборудование для завода по производству микросхем MRAM-памяти в Москве. Об этом, как передает 19 августа ИТАР-ТАСС, заявил глава «Роснано» Анатолий Чубайс.
Фото: Григорий Сысоев / РИА Новости
По его словам, компания должна была поставить часть оборудования для строящегося предприятия «Крокус наноэлектроника» по производству магниторезистивной памяти (MRAM) в технополисе «Москва» (территория бывшего завода «Москвич»). Строительство завода находится в завершающей стадии.
Причиной отказа стало то, что оборудование относится к технологиям двойного назначения, попавшим под запрет из-за санкций. По словам Чубайса, консорциум нашел другого поставщика в Китае. «Это пример, когда мы сумели быстро найти решение и пуск завода не был сорван», — сказал он.
В начале июля стало известно, что из-за американских санкций производители телекоммуникационного оборудования Cisco Systems и Juniper Networks с апреля не могли поставлять продукцию некоторым российским государственным заказчикам, имеющим отношение к оборонке. По данным «Коммерсанта», власти США задерживали выдачу экспортных лицензий. В третьем финансовом квартале Cisco Systems сообщала, что поставки в Россию снизились на 29% по сравнению с предыдущим кварталом.
В начале августа «Коммерсантъ» сообщил, что Cisco нашла решение проблемы и организует разработку и производство в России на базе Экспериментального завода научного приборостроения, принадлежащего РАН, и под его брендом.
Завод «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology. Предприятие стало первым резидентом микроэлектронного кластера на территории бывшего автомобильного завода.
Предприятие должно стать первым в мире производством магниторезистивной памяти с проектными нормами 90, 65 и 45 нанометров на пластинах диаметром 300 мм по технологии Crocus Technology.
Чипы MRAM отличаются от существующих тем, что хранят данным с помощью магнитных моментов, а не электрических зарядов. Память записывает информацию быстрее, чем флешка, и сохраняет ее при отключении электропитания.